Page 12 - 网络电信2021年12月刊下
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高 品 质 光 纤 助 力 5 G 建 设

            一种新型抗弯曲光纤


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            王胜明 ,钟媛 ,姚艳 ,劳雪刚 ,沈震强 ,肖华              1,2
            1、江苏亨通光电股份有限公司
            2、江苏亨通光导新材料有限公司


                   摘要:本文讨论了一种新型抗
                弯曲光纤,具有优异的抗弯曲性
                能,光纤各项指标同时满足ITU-T
                G. 657.A2和ITU-T G.657.B3标准,
                适用于5G承载网、数据中心内和室
                内(FTTH)狭小区域等复杂布线环
                境。
                   关键词:5G、抗弯曲、G.657、
                沟槽









                一、引言                                              图1.带有沟槽辅助结构的光纤折射率分布图
                                   [1]
                随着光纤到户(FTTH) 、大型数据中心的建设和5G网络
            的逐步商用等,狭小区域内复杂布线环境对光纤的抗弯曲能力
            提出了更高的要求       [2][3] ,传统的G.652.D光纤已不能满足这种狭
            窄区域内的布置需求,抗弯曲光纤是应用于该类环境的最佳选
            择。当前抗弯曲光纤的主要设计方式有沟槽辅助结构                     [4-8] ,微
                       [9]
            气孔辅助结构 和纳米结构          [10] 等,其中沟槽辅助结构生产工艺
            相对简单、易实现,已成为当前商用抗弯曲光纤主流的设计方
            式,其波导结构是在常规G.652.D光纤的基础上增加辅助沟槽设
            计,具有更小的模场直径,使光纤纤芯的光能更聚焦在芯层,
            减少了弯曲状态下的泄露模损耗。
                本文所述的一种新型抗弯曲光纤使用的是沟槽辅助结构,                        艺,实现了兼具G.657.A2和G.657.B3性能的新型抗弯曲光纤的
            通过优化沟槽的深度与宽度,实现了优异的抗弯曲能力。通过                          批量稳定生产。
            VAD(Vaper  Axial  Deposition,VAD)法制备芯棒,选用合适
            尺寸及参数的外包层材料,经RIC法制备出相应的具有沟槽辅助                            三、实验结果与讨论
            结构的光纤预制棒,优化拉丝工艺可以稳定产出具有抗弯曲性                              1、基础性能测试
            能的光纤。                                                    根据所设计的波导结构,通过优化生产工艺流程,所制
                                                                 备的光纤主要光学参数如表1所示,主要光学参数均满足ITU-T
                二、设计原理                                           G.657.A2和G.657.B3标准,同时与G.657.A2和G.657.B3光纤均
                本文涉及的一种新型抗弯曲光纤,主要实现方式是通过添                        具有较好的兼容性。
            加沟槽辅助,调整多层结构的折射率分布                [11-13] 。光纤预制棒横        2、宏弯性能测试
            向折射率分布如图1所示,其中沟槽具有更低的折射率。                                通过测试所制备光纤在φ10mm*1圈、φ15mm*1圈、
                在光纤中增加辅助沟槽的设计,通过适当的调整沟槽折射                        φ20mm*1圈、φ30mm*10圈下的宏弯附加损耗值,从表2可以
            率、沟槽宽度     [12] ,可以使光信号更好的束缚在芯层中传输,且                 看出在1550nm、1625nm波段的宏弯附加损耗均满足ITU-T中对
            对于光纤的弯折不敏感,能够更好的满足光纤到户的需求。本                          G.657.A2、G.657.B3的规定。所测试光纤在1550nm波段下的宏
            文基于VAD沉积技术,结合RIC(Rod  in  Cylinder,RIC)法工            弯附加损耗分布如图2所示,可以看出所制备光纤的实际宏弯附


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